حقق علماء من RIKEN خطوة مهمة إلى الأمام في التحكم في الكيوبتات السيليكونية. فقد تمكنوا من الحفاظ على دقة عالية للعمليات عندما تعمل عدة كيوبتات في الوقت نفسه عبر خط تحكم واحد مشترك بالموجات الدقيقة.
عمل الباحثون على خمسة كيوبتات سيليكونية مغزلية. وكشفوا عن المصدر الرئيسي لأخطاء التحكم وطوروا بروتوكول معايرة يعوّض عنها. وقد نُشرت النتائج في Nature Physics.
عند الفحص الفردي تجاوزت دقة العمليات أحادية الكيوبت 99.99 %، وفي أفضل الحالات اقتربت من 99.999 %. ومع البروتوكول الجديد ظل هذا المستوى محفوظًا عند العمل المتزامن لما يصل إلى ثلاثة كيوبتات.
وعندما عملت الكيوبتات الخمسة كلها معًا، بقيت الدقة عند نحو 99.9 % — قريبة من متطلبات الحوسبة الكمومية المتحملة للأخطاء. وقال ليون كامينتسين، الباحث في RIKEN والمشارك في تأليف الدراسة: «هذا يُظهر أنه يمكن الحفاظ على تحكم عالي الدقة حتى عند العمل المتزامن لعدة كيوبتات، ويمثل خطوة مهمة نحو توسيع نطاق المعالجات الكمومية السيليكونية».
تتميز المنصة السيليكونية بأنها تستند إلى تقنيات إنتاج الرقائق المطورة بالفعل. ونجاح التحكم المتوازي عبر خط واحد يقلل من تعقيد التوسيع ويقرّب الاستخدام العملي لهذه الأنظمة.
ستُظهر سلسلة التجارب التالية إلى أي مدى يمكن المضي قدمًا، لكن النتيجة الحالية تغيّر بالفعل التصور عن إمكانات الكيوبتات السيليكونية.
