Đội ngũ MIT đạt được bước đột phá trong pin mặt trời perovskite 2D bền bỉ

Chỉnh sửa bởi: Vera Mo

Một nhóm nghiên cứu do MIT dẫn đầu đã đạt được một bước đột phá quan trọng trong việc phát triển pin mặt trời perovskite bền hơn và hiệu quả hơn. Nhóm nghiên cứu quốc tế đã phát triển một quy trình dựa trên dung dịch cho các lớp xen kẽ perovskite hai chiều (2D), điều chỉnh độ kết tinh và độ tinh khiết pha.

Shaun Tan, tác giả chính, lưu ý rằng mặc dù perovskite 2D có nghĩa là để bảo vệ lớp perovskite 3D, nhưng trớ trêu thay, chúng có thể dễ vỡ hơn. Điều này đã thúc đẩy nhóm khám phá các dung môi hỗn hợp cho một lớp xen kẽ 2D mạnh mẽ hơn.

Phương pháp mới cho phép sự phát triển của perovskite 2D tinh khiết và có độ kết tinh cao, đây là chìa khóa cho độ bền của chúng. Thiết bị vô địch đã đạt được hiệu suất chuyển đổi năng lượng (PCE) là 25,9%, giữ lại 91% sau 1.074 giờ thử nghiệm. Hiệu suất này cạnh tranh với các thiết bị p-i-n đảo ngược hiện đại, đánh dấu một bước tiến quan trọng đối với pin mặt trời kiến trúc n-i-p.

Thành công của nhóm mở ra cơ hội cho việc khám phá thêm perovskite 2D và sự kết hợp dung môi hỗn hợp. Tan bày tỏ sự phấn khích về việc mở rộng phương pháp này ra ngoài công việc hiện tại của họ. Khám phá này có thể dẫn đến pin mặt trời ổn định và hiệu quả hơn, góp phần vào một tương lai xanh hơn.

Nguồn

  • pv magazine International

Bạn có phát hiện lỗi hoặc sai sót không?

Chúng tôi sẽ xem xét ý kiến của bạn càng sớm càng tốt.