Đại học Bắc Kinh ra mắt Transistor không Silicon với hiệu suất tăng 40%

Các nhà nghiên cứu tại Đại học Bắc Kinh đã phát triển một transistor không silicon hứa hẹn sẽ tăng đáng kể sức mạnh tính toán của bộ xử lý đồng thời giảm mức tiêu thụ năng lượng. Nhóm nghiên cứu do Hailin Peng, giáo sư hóa học tại PKU, dẫn đầu, đã công bố những phát hiện của họ trên tạp chí Nature vào ngày 13 tháng 2. Họ tuyên bố rằng transistor mới có thể được tích hợp vào các chip có khả năng vượt trội hơn 40% so với các bộ xử lý dựa trên silicon hiện tại trong khi tiêu thụ ít hơn 10% năng lượng. Sự tiến bộ này xuất phát từ kiến trúc độc đáo của chip, đặc biệt là transistor không silicon hai chiều, một transistor hiệu ứng trường cổng bao quanh (GAAFET). Không giống như transistor FinFET, GAAFET có cổng ở cả bốn mặt, mang lại khả năng kiểm soát tĩnh điện tốt hơn và thời gian chuyển mạch nhanh hơn. Nhóm nghiên cứu Bắc Kinh đã sử dụng chất bán dẫn bismut oxyselenide để tạo ra một transistor 2D "mỏng về mặt giải phẫu". Các transistor bismut 2D này linh hoạt hơn các transistor silicon truyền thống và cung cấp khả năng di chuyển của hạt tải điện tốt hơn và hằng số điện môi cao, giúp tăng thêm hiệu quả. Nếu được tích hợp vào chip, transistor này có thể cho phép Trung Quốc phá vỡ các hạn chế đối với việc mua lại chip tiên tiến bằng cách chuyển sang quy trình sản xuất khác.