Исследователи из Пекинского университета разработали безсиликоновый транзистор, который обещает значительно увеличить вычислительную мощность процессора при одновременном снижении энергопотребления.
Группа под руководством Хаилина Пена, профессора химии в PKU, опубликовала свои результаты в журнале Nature 13 февраля. Они утверждают, что новый транзистор может быть интегрирован в чипы с потенциалом превзойти современные процессоры на основе кремния на 40%, потребляя при этом на 10% меньше энергии.
Этот прогресс обусловлен уникальной архитектурой чипа, в частности, двухмерным безсиликоновым транзистором, полевым транзистором с круговым затвором (GAAFET). В отличие от транзисторов FinFET, GAAFET имеют затворы со всех четырех сторон, что обеспечивает лучший электростатический контроль и более быстрое время переключения.
Пекинская команда использовала полупроводник на основе оксиселенида висмута для создания "анатомически тонкого" 2D-транзистора. Эти 2D-транзисторы на основе висмута более гибкие, чем традиционные кремниевые, и обеспечивают лучшую подвижность носителей и высокую диэлектрическую проницаемость, что еще больше повышает эффективность.
В случае интеграции в чипы этот транзистор может позволить Китаю обойти ограничения на приобретение передовых чипов путем перехода к другому производственному процессу.