Universidade de Pequim Revela Transistor Sem Silício com Aumento de Desempenho de 40%

Pesquisadores da Universidade de Pequim desenvolveram um transistor sem silício que promete aumentar significativamente o poder de computação do processador, reduzindo o consumo de energia. A equipe, liderada por Hailin Peng, professor de química da PKU, publicou suas descobertas na Nature em 13 de fevereiro. Eles afirmam que o novo transistor pode ser integrado em chips com o potencial de superar os processadores atuais baseados em silício em 40%, consumindo 10% menos energia. Este avanço decorre da arquitetura única do chip, especificamente o transistor bidimensional sem silício, um transistor de efeito de campo gate-all-around (GAAFET). Ao contrário dos transistores FinFET, os GAAFETs têm gates em todos os quatro lados, oferecendo melhor controle eletrostático e tempos de comutação mais rápidos. A equipe de Pequim utilizou um semicondutor de oxisseleneto de bismuto para criar um transistor 2D "anatomicamente fino". Esses transistores 2D de bismuto são mais flexíveis do que os de silício tradicionais e oferecem melhor mobilidade de portadores e uma alta constante dielétrica, aumentando ainda mais a eficiência. Se integrado em chips, este transistor pode permitir que a China contorne as restrições à aquisição de chips avançados, fazendo a transição para um processo de produção diferente.