Universitas Beijing Ungkap Transistor Bebas Silikon dengan Peningkatan Kinerja 40%

Para peneliti di Universitas Beijing telah mengembangkan transistor bebas silikon yang menjanjikan peningkatan signifikan pada daya komputasi prosesor sekaligus mengurangi konsumsi energi. Tim yang dipimpin oleh Hailin Peng, seorang profesor kimia di PKU, menerbitkan temuan mereka di Nature pada 13 Februari. Mereka mengklaim bahwa transistor baru tersebut dapat diintegrasikan ke dalam chip dengan potensi untuk mengungguli prosesor berbasis silikon saat ini sebesar 40% sambil mengonsumsi energi 10% lebih sedikit. Kemajuan ini berasal dari arsitektur unik chip tersebut, khususnya transistor bebas silikon dua dimensi, transistor efek medan gerbang-sekeliling (GAAFET). Tidak seperti transistor FinFET, GAAFET memiliki gerbang di keempat sisinya, menawarkan kontrol elektrostatik yang lebih baik dan waktu switching yang lebih cepat. Tim Beijing menggunakan semikonduktor bismut oksiselenida untuk membuat transistor 2D "tipis secara anatomi". Transistor bismut 2D ini lebih fleksibel daripada transistor silikon tradisional dan menawarkan mobilitas pembawa yang lebih baik dan konstanta dielektrik yang tinggi, yang selanjutnya meningkatkan efisiensi. Jika diintegrasikan ke dalam chip, transistor ini dapat memungkinkan Tiongkok untuk menghindari pembatasan pada akuisisi chip canggih dengan beralih ke proses produksi yang berbeda.