La Universidad de Pekín presenta un transistor sin silicio con un aumento del rendimiento del 40%

Investigadores de la Universidad de Pekín han desarrollado un transistor sin silicio que promete aumentar significativamente la potencia de cálculo del procesador al tiempo que reduce el consumo de energía. El equipo, dirigido por Hailin Peng, profesor de química de la PKU, publicó sus hallazgos en Nature el 13 de febrero. Afirman que el nuevo transistor puede integrarse en chips con el potencial de superar a los procesadores actuales basados en silicio en un 40% al tiempo que consume un 10% menos de energía. Este avance se debe a la arquitectura única del chip, concretamente al transistor bidimensional sin silicio, un transistor de efecto de campo con puerta envolvente (GAAFET). A diferencia de los transistores FinFET, los GAAFET tienen puertas en los cuatro lados, lo que ofrece un mejor control electrostático y tiempos de conmutación más rápidos. El equipo de Pekín utilizó un semiconductor de oxiselenuro de bismuto para crear un transistor 2D "anatómicamente delgado". Estos transistores 2D de bismuto son más flexibles que los tradicionales de silicio y ofrecen una mejor movilidad de los portadores y una alta constante dieléctrica, lo que aumenta aún más la eficiencia. Si se integra en chips, este transistor podría permitir a China eludir las restricciones a la adquisición de chips avanzados mediante la transición a un proceso de producción diferente.