স্বচ্ছ ইলেক্ট্রোড সহ বাইফেসিয়াল পেরোভস্কাইট সৌর কোষের দক্ষতায় যুগান্তকারী সাফল্য

ইন্ডিয়ান ইনস্টিটিউট অফ টেকনোলজি (আইআইটি) ধরওয়াড়ের গবেষকরা বাইফেসিয়াল পেরোভস্কাইট সৌর কোষ প্রযুক্তিতে একটি গুরুত্বপূর্ণ সাফল্য অর্জন করেছেন। 2025 সালের ফেব্রুয়ারিতে প্রকাশিত তাদের গবেষণাপত্রে একটি অভিনব NiO/Ag/NiO (NAN) স্বচ্ছ ইলেক্ট্রোড তৈরির বিশদ বিবরণ দেওয়া হয়েছে যা দক্ষতা, স্থায়িত্ব এবং ইনফ্রারেড স্বচ্ছতা বাড়ায়। এই অগ্রগতি সৌরশক্তির বৃহত্তর ব্যবহারের পথ প্রশস্ত করে। দলটি তিন-স্তরযুক্ত NiO/Ag/NiO কাঠামো দিয়ে গঠিত একটি হাইব্রিড টপ ট্রান্সপারেন্ট ইলেক্ট্রোড (TE) একত্রিত করেছে। স্বল্প-শক্তি ফিজিক্যাল ভেপার ডিপোজিশন কৌশল ব্যবহার করে, তারা ব্যতিক্রমীভাবে কম বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ এবং উচ্চ দৃশ্যমান আলো সংক্রমণ সহ একটি ইলেক্ট্রোড তৈরি করেছে, যা এই সৌর কোষগুলির কার্যকারিতা উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করেছে। NAN-TE বিভিন্ন দিক থেকে আলোকিত হলে 9.05 এবং 6.54 শতাংশের পাওয়ার কনভার্সন এফিসিয়েন্সি (PCE) প্রদর্শন করেছে। 72 শতাংশের একটি উচ্চ বাইফেসিয়ালিটি ফ্যাক্টর সেলের উভয় দিক থেকে কার্যকরভাবে আলো ক্যাপচার করার ক্ষমতা নির্দেশ করে। কোষগুলি এনক্যাপসুলেশন ছাড়াই 1000 ঘণ্টার বেশি সময় ধরে তাদের প্রাথমিক দক্ষতার 80% বজায় রেখেছে। ইলেক্ট্রোডের পাতলা প্রোফাইল নির্মাণ সামগ্রী, ট্যান্ডেম সৌর কোষ, এগ্রিভোল্টাইকস এবং স্বয়ংচালিত প্রযুক্তিতে একীকরণের অনুমতি দেয়।