北京大學發布無矽晶體管，性能提升40%

北京大學的研究人員開發出一種無矽晶體管，有望在降低功耗的同時顯著提高處理器計算能力。由北京大學化學教授彭海琳領導的團隊於2月13日在《自然》雜誌上發表了他們的研究成果。他們聲稱，新型晶體管可以集成到芯片中，與目前基於矽的處理器相比，性能提高40%，同時功耗降低10%。這一進步源於芯片的獨特架構，特別是二維無矽晶體管，即環柵場效電晶體（GAAFET）。與FinFET電晶體不同，GAAFET的四個側面都有柵極，提供更好的靜電控制和更快的開關時間。北京團隊利用鉍氧化硒半導體製造出一種2D“解剖學薄”電晶體。這些2D鉍電晶體比傳統的矽電晶體更靈活，並提供更好的載流子遷移率和高介電常數，從而進一步提高效率。如果集成到芯片中，這種晶體管可以通過過渡到不同的生產工藝，使中國繞過對先進芯片採購的限制。