L'Université de Pékin dévoile un transistor sans silicium avec un gain de performance de 40%

Des chercheurs de l'Université de Pékin ont mis au point un transistor sans silicium qui promet d'augmenter considérablement la puissance de calcul des processeurs tout en réduisant la consommation d'énergie. L'équipe, dirigée par Hailin Peng, professeur de chimie à PKU, a publié ses conclusions dans la revue Nature le 13 février. Ils affirment que le nouveau transistor peut être intégré dans des puces avec le potentiel de surpasser les processeurs actuels à base de silicium de 40% tout en consommant 10% moins d'énergie. Cette avancée découle de l'architecture unique de la puce, en particulier du transistor bidimensionnel sans silicium, un transistor à effet de champ à grille enveloppante (GAAFET). Contrairement aux transistors FinFET, les GAAFET ont des grilles sur les quatre côtés, offrant un meilleur contrôle électrostatique et des temps de commutation plus rapides. L'équipe de Pékin a utilisé un semi-conducteur d'oxyséléniure de bismuth pour créer un transistor 2D « anatomiquement mince ». Ces transistors 2D au bismuth sont plus flexibles que les transistors traditionnels en silicium et offrent une meilleure mobilité des porteurs et une constante diélectrique élevée, ce qui améliore encore l'efficacité. S'il est intégré dans des puces, ce transistor pourrait permettre à la Chine de contourner les restrictions sur les acquisitions de puces avancées en passant à un processus de production différent.