Universität Peking stellt siliziumfreien Transistor mit 40% Leistungssteigerung vor

Forscher der Universität Peking haben einen siliziumfreien Transistor entwickelt, der die Rechenleistung von Prozessoren deutlich steigern und gleichzeitig den Energieverbrauch senken soll. Das Team unter der Leitung von Hailin Peng, einem Chemieprofessor an der PKU, veröffentlichte seine Ergebnisse am 13. Februar in der Fachzeitschrift Nature. Sie behaupten, dass der neue Transistor in Chips integriert werden kann, die das Potenzial haben, aktuelle siliziumbasierte Prozessoren um 40 % zu übertreffen und gleichzeitig 10 % weniger Energie zu verbrauchen. Dieser Fortschritt beruht auf der einzigartigen Architektur des Chips, insbesondere dem zweidimensionalen siliziumfreien Transistor, einem Gate-All-Around-Feldeffekttransistor (GAAFET). Im Gegensatz zu FinFET-Transistoren haben GAAFETs Gatter auf allen vier Seiten, was eine bessere elektrostatische Kontrolle und schnellere Schaltzeiten ermöglicht. Das Pekinger Team verwendete einen Wismut-Oxyselenid-Halbleiter, um einen 2D-Transistor zu erzeugen, der „anatomisch dünn“ ist. Diese 2D-Wismut-Transistoren sind flexibler als herkömmliche Silizium-Transistoren und bieten eine bessere Trägermobilität und eine hohe Dielektrizitätskonstante, was die Effizienz weiter steigert. Wenn dieser Transistor in Chips integriert wird, könnte er China ermöglichen, Beschränkungen für den Erwerb fortschrittlicher Chips zu umgehen, indem es auf einen anderen Produktionsprozess umsteigt.